Бис и сбис что это

Классификация интегральных схем

Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это

Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это

Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это

Элементную базу всех цифровых устройств (ЦУ) [Digital Devices] составляют интегральные схемы(ИС) [Integrated Circuit (IC)], которые также называются микросхемами(МС) или чипами (микрочипами) [Chip (Microchip)].

Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это

Интегральные схемы – это электронные приборы, выполненные на тонких полупроводниковых пластинах, содержащие электронные элементы и выполненные внутри корпуса определённого типа.

ИС со времени изобретения в США в 1959 г. постоянно совершен­ствуются и усложняются. Быстрый прогресс в области изготовления интегрируемых схем привел к резкому росту объёма их производства и снижению стоимости. В результате использования МС стало возможным не только в сложных специализированных устройствах (таких, как ЭВМ), но и в разнообразных измерительных приборах, управляющих и контролирующих системах. Круг потребителей МС непрерывно расширяется.

Характеристикой сложности ИС является уровень интеграции, оцениваемый либо числом базовых логических элементов (ЛЭ) [Logic(al) Element/Component/Gate/Unit], либо числом транзисторов, которые размещены на кристалле.

В зависимости от уровня интеграции ИС делятся на несколько категорий: МИС, СИС, БИС, СБИС, УБИС (соответственно малые, средние, большие, сверхболь­шие, ультрабольшие ИС).

МИС [SSI = Small/Standard Scale Integration – малая/стандартная степень (уровень) интеграции] – это МС с очень небольшим числом элементов (несколько десятков). МИС реализуют простейшие логические преобразования и обладают очень большой уни­версальностью – даже с помощью одного типа ЛЭ (например, И-НЕ) можно построить любое ЦУ.

СИС [MSI = Medium Scale Integration – средняя степень (уровень) интеграции] – это МС со степенью интеграции от 300 до нескольких тысяч транзисторов (обычно до 3000). В виде СИС выпускаются в готовом виде такие схемы, как малоразрядные регистры, счётчики, дешиф­раторы, сумматоры и т. п. Номенклатура СИС должна быть более широкой и разнообразной, т. к. их универсальность по сравнению с МИС снижается. В развитых сериях стандартных ИС насчитываются сотни типов СИС.

БИС [LSI = Large Scale Integration – большая (высокая) степень (уровень) интеграции] – МС с числом логических вентилей от 1000 до 5000 (в некоторых классификациях – от 500 до 10000). Первые БИС были разработаны в начале 70-х годов прошлого века.

СБИС [VLSI = Very Large-Scale Integration – очень большая (высокая) степень (уровень) интеграции или GSI = Giant Scale Integration – гигантская (сверхбольшая, сверхвысокая) степень (уровень) интеграции] – это МС, содержащие на кристалле от 100000 до 10 млн. (VLSI) илиболее 10 млн. (GSI) транзисторов или логических вентилей.

УБИС [ULSI = Ultra Large Scale Integration – ультрабольшая (ультравысокая) степень (уровень) интеграции] – это МС, в которых число транзисторов на кристалле составляет от 10 млн. до 1 млрд. К таким схемам можно отнести современные процессоры.

Приведённые выше данные о МС разной степени интеграции для наглядности сведены в табл. 1.

Таблица 1

Русская аббревиатураАнглийская аббревиа-тураЧисло транзисторов или ЛЭ на кристаллеПримеры
МИСSSIнесколько десятковСборки из отдельных ЛЭ
СИСMSIот 300 до нескольких тысяч транзисторов (обычно до 3000)Регистры, счётчики, дешиф­раторы, сумматоры
БИСLSIот 1000 до 5000 (от 500 до 10000)Простая ПЛ
СБИСVLSI GSIот 100 000 до 10 млн. более 10 млн.Процессоры и ПЛ средней сложности
УБИСULSIот 10 млн. до 1 млрд.Современные процессоры и ПЛ

Как видно из таблицы, классификация ИС разной степени интеграции довольно условна. Как уже было замечено выше, с увеличением количества элементов на кристалле МС становятся менее универсальными, их номенклатура (количество разных видов) увеличивается, а серийность (объём выпуска) каждого наименования уменьшается, что приводит к увеличению себестоимости одной МС, которая вычисляется по примерной формуле

Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это

т. к. затраты на проектирование ИС значительно увеличиваются с увеличением их сложности и уровня интеграции.

На практике используются все категории ИС, однако с те­чением времени всё большую долю используемых МС составляют схемы высокого уровня интеграции.

Интенсивное производство микропроцессоров не снижает потребности в более простых схемах. Существует очень много приложений, в которых применение микропроцессоров, требующих вспомогательных устройств, является неэффективным. Техническое решение на основе ИМС часто обеспечивает большие быстродействие и надежность. Поэтому ознакомление с методами их использования безусловно необходимо. ИМС распространены сейчас настолько широко, что умение применять их при проектировании различных устройств должно быть обязательным элементом профессиональной грамотности современного инженера.

Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это

В настоящее время в радиоэлектронных системах, в средствах вычислительной техники, системах управления и информационно-измерительной технике используется широкий спектр больших (БИС) и сверхбольших интегральных микросхем (СБИС), которые получили в последнее десятилетие прогрессирующее развитие.

К БИС и СБИС можно отнести: микропроцессорные комплекты и микроконтроллеры, программируемые логические матрицы и базовые матричные кристаллы, аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи, а также запоминающие устройства. Эти сложные в структурном построении и функциональном понимании интегральные компоненты нашли широкое применение в указанных системах и являются основой их построения.

С появлением технологий БИС и СБИС схемы с тысячами и миллионами ЛЭ стали размещаться на одном кристалле, кроме того, недавно было объявлено о воз­можности разместить на кристалле миллиард транзисторов. При этом про­блема снижения универсальности для ИС с жёсткой структурой обострилась бы чрезвычайно – пришлось бы производить огромное число типов ИС при снижении объёма производства каждого из типов, что непомерно увеличило бы их стоимость, т. к. высокие затраты на проектирование БИС/СБИС от­носились бы к небольшому объёму их выпуска.

Выход из возникшего противоречия был найден на пути переноса специали­зации микросхем в область программирования. Появились микропроцессо­ры и БИС/СБИС с программируемой структурой.

Микропроцессор (МП) способен выполнять команды, входящие в его систему команд. Меняя последовательность и состав команд (программу), можно решать различные задачи на одном и том же МП. Иначе гово­ря, в этом случае структура аппаратных средств не связана с характером ре­шаемой задачи. Это обеспечивает микропроцессорам массовое производство с соответствующим снижением стоимости.

В виде БИС/СБИС с программируемой структурой потребителю предлагается кристалл, содержащий множество логических блоков, межсоединения для которых назначает сам системотехник. Промышленность получает возможность производить кристаллы массовым тиражом, не адресуясь к отдельным потребителям. Системотехник сам программирует структуру ИС соответст­венно своему проекту. Разработан целый спектр методов программирования связей между блоками и элементами кристалла.

Два указанных вида устройств и, соответственно, два метода программирования имеют большие различия. Микропроцессоры реализуют последовательную обработку информации, выполняя большое число отдель­ных действий, соответствующих командам, что может не обеспечить требуе­мого быстродействия. В БИС/СБИС с программируемой структурой обработ­ка информации возможна без разбиения этого процесса на последовательно выполняемые элементарные действия. Задача чаще всего решаться “целиком”, её характер определяет структуру устройства. Преобразование данных происхо­дит одновременно (параллельно) во многих частях устройства. Сложность устройства зави­сит от сложности решаемой задачи, что не всегда справедливо для микропроцессорных систем, где сложность задачи в основном влияет лишь на программу, а не на аппаратные средства её выполнения.

Таким образом, БИС/СБИС с программируемой структурой могут быстрее решать задачи, сложность которых ограничена уровнем интеграции МС, а микропроцессорные средства – задачи неограниченной сложности, но с меньшим быстродействием. Оба направления открывают ценные пер­спективы дальнейшего улучшения технико-экономических показателей соз­даваемой на них аппаратуры. Более того, современные кристаллы высшего уровня интеграции содержат одновременно и микропроцессоры, и большие массивы программируемой логики, обладая в силу этого большими функ­циональными возможностями. Подобная структура свойственна микросхе­мам класса “система на кристалле” [SoC (SOC) = System on Chip/Crystal – система на чипе/кристалле или SOS = Systems On Silicon) – система на силиконе], важная роль которых в проектировании современной аппаратуры неоспорима.

С переходом производства микросхем на технологические нормы 130 и 90 нм степень интеграции выросла до десятков миллионов вентилей, что всё чаще позволяет реализовывать все компоненты системы в одной интегральной микросхеме. “Система на кристалле” – это однокристальная система, объединяющая в одном кристалле все или большую часть элементов цифровой системы. Если в качестве элементной базы для SoC выбрана ПЛИС, то используется также термин SoPC (SOPC) [System on a Programmable Chip/Crystal – система на программируемом чипе/криталле]. Если SoC содержит несколько процессоров, то она именуется однокристальным мультипроцессором [англ. MPSoC (MPSOC)= MultiProcessor System on Chip – мультипроцессорная (многопроцессорная) система на кристалле или Single-Chip Multiprocessor].

С ростом уровня интеграции ИС в проектировании на их основе всё больше усиливается аспект, который можно назвать интерфейсным проектировани­ем. Задачей разработки становится составление блоков из субблоков стан­дартного вида путём правильного их соединения. Успешное проектирование требует хорошего знания номенклатуры и параметров элементов, узлов и устройств цифровой аппаратуры и привлечения систем автоматизированного проектирования (САПР) для создания сложных систем.

Однако изучение цифровой электроники представляется сложным начинать с системотехники и микросхемотехники интегральных устройств, а тем более осваивать проектирование систем на их основе. Поэтому необходимо, прежде всего, изучить внутреннее устройство и алгоритмы работы менее сложных функциональных узлов цифровой электроники.

Источник

Бис и сбис что это

Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это

Бис и сбис что это. Смотреть фото Бис и сбис что это. Смотреть картинку Бис и сбис что это. Картинка про Бис и сбис что это. Фото Бис и сбис что это

Интегра́льная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схе́ма (ИС, ИМС, м/сх), чип, микрочи́п (англ. chip — щепка, обломок, фишка) — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности, изготовленная на полупроводниковом кристалле (или плёнке) и помещённая в неразборный корпус. Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС) — ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение «чип компоненты» означает «компоненты для поверхностного монтажа» в отличие от компонентов для традиционной пайки в отверстия на плате. Поэтому правильнее говорить «чип микросхема», имея в виду микросхему для поверхностного монтажа. В настоящий момент (2009 год) большая часть микросхем изготавливается в корпусах для поверхностного монтажа.

Содержание

История

Изобретение микросхем началось с изучения свойств тонких оксидных плёнок, проявляющихся в эффекте плохой электро-проводимости при небольших электрических напряжениях. Проблема заключалась в том, что в месте соприкосновения двух металлов не происходило электрического контакта или он имел полярные свойства. Глубокие изучения этого феномена привели к открытию диодов а позже транзисторов и интегральных микросхем.

В 1958 году двое учёных, живущих в совершенно разных местах, изобрели практически идентичную модель интегральной схемы. Один из них, Джек Килби, работал на Texas Instruments, другой, Роберт Нойс, был одним из основателей небольшой компании по производству полупроводников Fairchild Semiconductor. Обоих объединил вопрос: «Как в минимум места вместить максимум компонентов?». Транзисторы, резисторы, конденсаторы и другие детали в то время размещались на платах отдельно, и учёные решили попробовать их объединить на одном монолитном кристалле из полупроводникового материала. Только Килби воспользовался германием, а Нойс предпочёл кремний. В 1959 году они отдельно друг от друга получили патенты на свои изобретения — началось противостояние двух компаний, которое закончилось мирным договором и созданием совместной лицензии на производство чипов. После того как в 1961 году Fairchild Semiconductor Corporation пустила интегральные схемы в свободную продажу, их сразу стали использовать в производстве калькуляторов и компьютеров вместо отдельных транзисторов, что позволило значительно уменьшить размер и увеличить производительность.

Первая советская полупроводниковая микросхема была создана в 1961 г. в Таганрогском радиотехническом институте, в лаборатории Л. Н. Колесова.

Первая в СССР полупроводниковая интегральная микросхема была разработана (создана) на основе планарной технологии, разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (затем переименован в НИИ «Пульсар») коллективом, который в дальнейшем был переведён в НИИМЭ (Микрон). Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы было сконцентрировано на разработке и производстве с военной приёмкой серии интегральных кремниевых схем ТС-100 (37 элементов — эквивалент схемотехнической сложности триггера, аналога американских ИС серии SN-51 фирмы Texas Instruments). Образцы-прототипы и производственные образцы кремниевых интегральных схем для воспроизводства были получены из США. Работы проводились НИИ-35 (директор Трутко) и Фрязинским заводом (директор Колмогоров) по оборонному заказу для использования в автономном высотомере системы наведения баллистической ракеты. Разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100 и с организацией опытного производства заняла в НИИ-35 три года (с 1962 по 1965 год). Ещё два года ушло на освоение заводского производства с военной приёмкой во Фрязино (1967 год).[1]

Уровни проектирования

В настоящее время большая часть интегральных схем разрабатывается при помощи САПР, которые позволяют автоматизировать и значительно ускорить процесс получения топологических фотошаблонов.

Классификация

Степень интеграции

В СССР были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции (указано количество элементов для цифровых схем):

В настоящее время название ГБИС практически не используется (например, последние версии процессоров Pentium 4 содержат пока несколько сотен миллионов транзисторов), и все схемы с числом элементов, превышающим 10000, относят к классу СБИС, считая УБИС его подклассом.

Технология изготовления

Вид обрабатываемого сигнала

Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного до отрицательного напряжения питания.

Цифровые микросхемы — входные и выходные сигналы могут иметь два значения: логический ноль или логическая единица, каждому из которых соответствует определённый диапазон напряжения. Например, для микросхем ТТЛ-логики при питании +5 В диапазон напряжения 0…0,4 В соответствует логическому нулю, а диапазон 2,4…5 В соответствует логической единице. Для микросхем ЭСЛ-логики при питании −5,2 В: логическая единица — это −0,8…−1,03 В, а логический ноль — это −1,6…−1,75 В.

Аналого-цифровые микросхемы совмещают в себе формы цифровой и аналоговой обработки сигналов. По мере развития технологий получают всё большее распространение.

Технологии изготовления

Типы логики

Основным элементом аналоговых микросхем являются транзисторы (биполярные или полевые). Разница в технологии изготовления транзисторов существенно влияет на характеристики микросхем. Поэтому нередко в описании микросхемы указывают технологию изготовления, чтобы подчеркнуть тем самым общую характеристику свойств и возможностей микросхемы. В современных технологиях объединяют технологии биполярных и полевых транзисторов, чтобы добиться улучшения характеристик микросхем.

КМОП и ТТЛ (ТТЛШ) технологии являются наиболее распротранёнными логиками микросхем. Где небходимо экономить потребление тока, применяют КМОП-технологию, где важнее скорость и не требуется экономия потребляемой мощности применяют ТТЛ-технологию. Слабым местом КМОП-микросхем является уязвимость от статического электричества — достаточно коснуться рукой вывода микросхемы и её целостность уже не гарантируется. С развитием технологий ТТЛ и КМОП микросхемы по параметрам сближаются и, как следствие, например, серия микросхем 1564 — сделана по технологии КМОП, а функциональность и размещение в корпусе как у ТТЛ технологии.

Микросхемы, изготовленные по ЭСЛ-технологии, являются самыми быстрыми, но наиболее энергопотребляющими и применялись при производстве вычислительной техники в тех случаях, когда важнейшим параметром была скорость вычисления. В СССР самые производительные ЭВМ типа ЕС106х изготавливались на ЭСЛ-микросхемах. Сейчас эта технология используется редко.

Технологический процесс

При изготовлении микросхем используется фотопроцесс, при этом схему формируют на подложке, обычно из диоксида кремния, полученной термическим оксидированием кремния. Ввиду малости размера элементов микросхем, от использования видимого света и даже ближнего ультрафиолета при засветке давно отказались. В качестве характеристики технологического процесса производства микросхем указывают ширину полосы фотоповторителя и, как следствие, размеры транзисторов (и других элементов) на кристалле. Этот параметр, однако, находится во взаимозависимости c рядом других производственных возможностей: чистотой получаемого кремния, характеристиками инжекторов, методами вытравливания и напыления.

В 70-х годах ширина полосы составляла 2-8 мкм, в 80-х была улучшена до 0,5-2 мкм. Некоторые экспериментальные образцы рентгеновского диапазона обеспечивали 0,18 мкм.

В 90-х годах из-за нового витка «войны платформ» экспериментальные методы стали внедряться в производство и быстро совершенствоваться. В начале 90-х процессоры (например ранние Pentium Pro) изготавливали по технологии 0,5-0,6 мкм. Потом их уровень поднялся до 0,25-0,35 мкм. Следующие процессоры (Pentium 2, K6-2+,

В конце 90-х фирма Texas Instruments создала новую ультрафиолетовую технологию с шириной полосы около 0,08 мкм. Но достичь её в массовом производстве не удавалось вплоть до недавнего времени. Она постепенно продвигалась к нынешнему уровню, совершенствуя второстепенные детали. По обычной технологии удалось обеспечить уровень производства вплоть до 0,09 мкм.

Новые процессоры (сперва это был Core 2 Duo) делают по новой УФ-технологии 0,045 мкм. Есть и другие микросхемы давно достигшие и превысившие данный уровень (в частности видеопроцессоры и flash-память фирмы Samsung — 0,040 мкм). Тем не менее дальнейшее развитие технологии вызывает всё больше трудностей. Обещания фирмы 2006 году так и не сбылись.

Сейчас альянс ведущих разработчиков и производителей микросхем работает над тех. процессом 0,032 мкм.

Контроль качества

Для контроля качества интегральных микросхем широко применяют так называемые тестовые структуры.

Назначение

Интегральная микросхема может обладать законченным, сколь угодно сложным, функционалом — вплоть до целого микрокомпьютера (однокристальный микрокомпьютер).

Аналоговые схемы

Цифровые схемы

Цифровые интегральные микросхемы имеют ряд преимуществ по сравнению с аналоговыми:

Аналогово-цифровые схемы

Серии микросхем

Аналоговые и цифровые микросхемы выпускаются сериями. Серия — это группа микросхем, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместного применения. Микросхемы одной серии, как правило, имеют одинаковые напряжения источников питания, согласованы по входным и выходным сопротивлениям, уровням сигналов.

Корпуса микросхем

Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и бескорпусном.
Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку.
Корпус — это часть конструкции микросхемы, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий из разных микросхем. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями!
В российских корпусах расстояние между выводами измеряется в миллиметрах и наиболее часто это 2,5 мм или 1,25 мм. У импортных микросхем расстояние измеряют в дюймах, используя величину 1/10 или 1/20 дюйма, что соответствует 2,54 и 1,28 мм. В корпусах до 16 выводов эта разница не значительна, а при больших размерах идентичные корпуса уже несовместимы.
В современных импортных корпусах для поверхностного монтажа применяют и метрические размеры: 0,8 мм; 0,65 мм и другие.

Специфические названия микросхем

Из большого количества цифровых микросхем изготавливались процессоры. Фирма Intel 4004, которая выполняла функции процессора. Такие микросхемы получили название микропроцессор. Микропроцессоры фирмы Intel совершенствовались: Intel 8008, Intel 8080, Intel 8086, Intel 8088 (на основе двух последних микропроцессоров фирма персональные компьютеры).

Микропроцессор выполняет в основном функции АЛУ (арифметико-логическое устройство), а дополнительные функции связи с периферией выполнялись с помощью специально для этого изготовленных наборов микросхем. Для первых микропроцессоров число микросхем в наборах исчислялось десятками, а сейчас это набор из двух-трех микросхем, который получил термин чипсет.

Микропроцессоры со встроенными контроллерами памяти и ввода-вывода, ОЗУ и ПЗУ, а также другими дополнительными функциями называют микроконтроллерами.

См. также

Литература

Пассивные твердотельныеРезистор · Переменный резистор · Подстроечный резистор · Варистор · Конденсатор · Индуктивность · Кварцевый резонатор · Предохранитель · Самовосстанавливающийся предохранитель · Трансформатор
Активные твердотельныеДиод · Светодиод · Фотодиод · Полупроводниковый лазер · Диод Шоттки · Стабилитрон · Стабистор · Варикап · Вариконд · Диодный мост · Лавинно-пролётный диод · Туннельный диод · Диод Ганна
Транзистор · Биполярный транзистор · Полевой транзистор · КМОП-транзистор · Однопереходный транзистор · Фототранзистор · Составной транзистор
Интегральная схема · Цифровая интегральная схема · Аналоговая интегральная схема
Тиристор · Симистор · Динистор
Пассивные вакуумныеБареттер
Активные вакуумные и газоразрядныеЭлектронная лампа · Электровакуумный диод · Триод · Тетрод · Пентод · Механотрон · Клистрон · Магнетрон · Амплитрон · Платинотрон · Электронно-лучевая трубка · Лампа бегущей волны
Устройства отображенияЭлектронно-лучевая трубка · ЖК монитор · Светодиод · Газоразрядный индикатор · Флажковый индикатор · Семисегментный индикатор
Акустические устройства и датчикиМикрофон · Динамик · Тензорезистор · Пьезокерамический излучатель
Термоэлектрические устройстваТермистор · Термопара · Элемент Пельтье

Полезное

Смотреть что такое «СБИС» в других словарях:

СБиС — Система бухгалтерского и складского учёта http://www.sbis.ru/​ фин. СБИС сверхбольшая интегральная схема Словарь: С. Фадеев. Словарь сокращений современного русского языка. С. Пб.: Политехника, 1997. 527 с … Словарь сокращений и аббревиатур

СБИС — сверхбольшая интегральная схема … Универсальный дополнительный практический толковый словарь И. Мостицкого

СБИС — сверхбольшая интегральная схема … Словарь сокращений русского языка

реализация криптоалгоритма на СБИС — — [http://www.rfcmd.ru/glossword/1.8/index.php?a=index&d=5074] Тематики защита информации EN vlsi implementation of a cryptoalgorithm … Справочник технического переводчика

САПР СБИС — — [Е.С.Алексеев, А.А.Мячев. Англо русский толковый словарь по системотехнике ЭВМ. Москва 1993] Тематики информационные технологии в целом EN silicon compiler … Справочник технического переводчика

Тензор (компания) — Тензор Файл:Tensor.png Логотип компании Тензор Тип общество с ограниченной ответственностью Год основания 1996 … Википедия

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — твердотельное устройство, содержащее группу приборов и их соединения (связи), выполненное на единой пластине (подложке). В И. с. интегрируются пассивные элементы (ёмкости, сопротивления) и активные элементы, действие к рых основано на разл. физ.… … Физическая энциклопедия

NeuroMatrix — микропроцессорная архитектура, разработанная в компании НТЦ «Модуль». Выпущены и готовятся к выпуску несколько представителей архитектуры. Наиболее известен первый представитель семейства, микропроцессор Л1879ВМ1 (nm6403). Устройства на базе… … Википедия

Асинхронная логика — Содержание 1 Принцип самосинхронности 2 Краткая история … Википедия

Бибило, Пётр Николаевич — Пётр Николаевич Бибило Дата рождения: 7 июля 1953(1953 07 07) (59 лет) Место рождения: Белорусская ССР, СССР Страна … Википедия

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *